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2021-03-15
宽带隙（WBG）开关器件由于其高速度和高效率而得到应用，这种器件可减小功率转换器的尺寸、重量和损耗。对这些参数特别敏感电动汽车充电器和功率转换器等应用通常需要双向功率流以获得多余的机械或电能。本文将着眼于这些应用，分析一些典型解决方案，并讨论宽带隙器件如何能够增加系统的价值。 大多数功率转换应用是将塬始电源...
2020-05-07
由米勒电容引起的寄生导通效应，常被认为是当今碳化硅MOSFET应用的一大缺陷。为了避免这种效应，在硬开关变流器的栅极驱动设计中，通常采用负栅极电压关断。但是这对于CoolSiC™ MOSFET真的有必要吗？ 引言 选择适当的栅极电压值是设计所有栅极驱动的关键。借助英飞凌的CoolSiC MOSF...
2020-04-28
宽禁带技术大行其道，一个重要原因是，相比于经典的硅开关器件，理论上氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术通常具有更加出色的性能。其性能提升包括降低通态电阻和提高热导率，这些特性有助于提高最终应用的能效和工作温度。对于开关电源（SMPS）应用，这意味着优化系统能效和提高功率密度。然而，要实现这些性能提升，仅仅将硅器件更换...
2020-04-17
氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管的极小寄生参数，极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动，高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。本文基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET产品，对他们的结构，特性，两者的应用差异等方面进行了详细的介绍。
2020-04-14
在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。 对于新技术而言，GaN本质上比其将取代的技术（硅）成本低。GaN器件与硅器件是在同一工厂用相同的制造程序生产...
2020-03-17
现代宽禁带功率器件(SiC, GaN)上的开关晶体管速度越来越快，使得测量和表征成为相当大的挑战，在某些情况下几乎不可能实现。隔离探测技术的出现改变了这种局面，通过这一技术，设计人员终于能够放心地测量以前回避的半桥和门驱动器波形。通过详细了解相关挑战，并使用适当的探测技术，电源工程师可以更加迅速、高效地表征和优化其...
2020-03-09
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