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再次出击!罗姆计划投资500亿扩产SIC至5倍,论其不断研发创新的背后是何布局策略?
  发布时间:2021-03-09   

据消息报道,日本各家电子零件厂加快对EV相关零件进行增产投资,其中Rohm(罗姆)计划在今后5年内投资600亿日元、将使用于EV的SiC功率半导体产能扩增至现行的5倍。 报道还指出:罗姆在全球碳化硅功率半导体市场中占有2成市占率,和英飞凌、STMicroelectronics并列为全球主要供应商之一。而其产能扩增至5倍后、全球市占率有望提高至3成。

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图源网络,侵删

由此看来,当罗姆公司碳化硅产能扩大以及市场占有率提高后,其在碳化硅领域的地位也更加遥遥领先。 但正所谓不积跬步,无以至千里;不积小流,无以成江海。对于罗姆公司而言,也正是因为早已深耕于碳化硅领域,并且在碳化硅器件中不断研发创新,因此才有如今领先的地位。

而随着新能源汽车在全球的普及加速,原有的硅器件对于电力电子应用优化已经接近极限,具有高热导率、高饱和以及高击场强等特点的碳化硅也迎来了新的发展,引起各大厂商纷纷争夺。因而对于想要在碳化硅发展的企业来讲,罗姆在碳化硅领域的研究历程则有着很好的借鉴学习意义。 


罗姆在碳化硅领域的研究大动作

2009年

从最开始对新冠疫情的猝不及防,到全民抗疫的众志成城、共克时艰。

2010年

罗姆推出SiC功率模块。

2015年

罗姆率先推出沟槽型的SiC MOSFET,罗姆也是全球第一个做出来全SiC功率模块的厂家,从品棒到品圆,到封测,罗姆整个产业链中具备一条龙生产的能力。

2019年4月

罗姆决定收购Panasonic经营的以下晶体管和二极管业务,晶体管(双极、内置电阻型、结型场效应),二极管(肖特基势垒二极管、TVS二极管、齐纳二极管开关二极管、快速恢复二极管),来进一步扩大市场份额。


那么,不断在碳化硅器件中研发创新,罗姆是如何在碳化硅器件上进行专利布局?其发展趋势又是如何?

罗姆(ROHM)是全球著名半导体厂商之一,同时也作为碳化硅一条龙的生产厂商,它不仅在碳化硅功率半导体的研发处于世界领先地位,并且也是全球第一个实现了SIC MOS量产的企业。 

罗姆拥有碳化硅器件相关专利156项,且从2011年起,在碳化硅器件专利申请上出现快速增长,经过2014-2015年的短暂回落之后,2018年申请达到最大。

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在专利的布局上,日本国内专利布局数量遥遥领先,国外市场则主要集中于美国、WO、中国和EP。

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对于罗姆的专利布局区域专利法律状态,在主要布局区域中,授权专利占比最大。其中专利驳回情况呈现为: 日本本国驳回量较大,其余地区驳回较少具有一定数量的撤回专利。在中国布局专利时间相对较晚,没有出现期限届满和未缴年费的专利。

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对于罗姆在碳化硅领域所关注的技术问题,主要是从器件某一方面的问题如降低导通电阻、提高耐压、减少漏电流、到整个器件的增加器件可靠性、改善开关性能、提高器件的开关速度等方面均有关注;并且每一种问题都会布局不同的专利。

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因此,其在专利布局策略则呈现以下特点:

在碳化硅器件的相关产品如二极管、半导体器件、开关管等均有大量布局,并且从不同角度布局;

专利输出常态化,持续巩固技术基础,差异化优势明显;

核心技术手段多围绕工艺、结构改进进行;

罗姆申请专利大多从微观原理方面进行阐述,保护范围较大。

另外,罗姆也正朝着低成本(制备工艺改进,结构优化) 更快速度(材料或工艺发展) 更低损耗(更低导通电阻,结构改进)、更高耐压和稳定性(结构改变、防止阈值电压偏移)等方面发展。


文章来源:TP情报社

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