镓特半导体科技有限公司研究生产了尺寸为2英寸和4英寸的自支撑氮化镓晶片，其导电性可用于掺杂硅的n型或掺杂碳的半绝缘型。镓特半导体的氮化镓晶圆片经加工可以满足激光二极管制造商的要求。

平边对准

晶片平边必须与GaN m面很好对准，因为激光器的制造可能需要将晶圆片沿晶面方向裂开。镓特半导体已经开发了这一工艺，实现平边与晶面的对齐偏差在0.0±0.1°内。

位错密度

(002)和(102)的典型XRD摇摆曲线FWHM均在40 ~ 50 arcsec范围内。用CL法和腐蚀坑法测量的位错密度在5E5 ~ 9E5 /cm2之间。

斜切角

镓特半导体在晶圆中心点的标准斜切方向c面偏m面0.5°，c面偏a面0.0°。中心点斜切角在0.2°~ 0.6°范围内可以定制。

晶格曲率半径和边切变化

晶格曲率半径规格为> 10 m，典型值为20 ~ 60 m，形状为凹形。斜切角变化可以用晶格曲率半径计算出来。然而，由于有一个小的凹面晶圆弯曲，实际斜切角变化小于从晶格半径计算的。利用x射线反射对准真实晶圆表面的x射线衍射(XRD)测量了斜切角。在整个4英寸晶圆片上，m面和a面方向的斜切角变化均测量为0.06°。例如，在整个100mm的晶圆片上，m面方向的斜切角一侧边缘是0.47°，另一侧边缘是0.53°。

正面Ga面抛光

抛光的Ga面平均粗糙度通过10µm x 10µm原子力显微镜扫描（AFM）为0.15 nm。晶圆片经过特殊工艺清洗以清除抛光过程中的污染。通过TXRF测试确认表面微量金属杂质被去除。

背面N-face完成

镓特半导体能够提供背面抛光和背面蚀刻二种产品。以3D profiler测量方式，在239µm x 318µm的量测范围，抛光后的背面粗糙度可以达到1nm；背面刻蚀后的产品粗糙度为1um。完成背面抛光和背面蚀刻的晶圆片如下图所示。

图1 背面抛光的氮化镓晶圆片

图2 背面蚀刻的氮化镓晶圆片

有关价格报价或其他信息，请参阅www.etaresearch.com，或电子邮件咨询info@etaresearch.com。

文章来源：镓特半导体