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美国空军研究实验室(AFRL)与MACOM公司签署合作研发协议(CRADA),将0.14μm GaN-on-SiC工艺转移到MACOM
  发布时间:2021-01-26   

美国马萨诸塞州洛厄尔市的MACOM技术解决方案公司(模拟射频、微波、毫米波和光子应用设计和制造半导体、组件和子组件)与美国空军研究实验室(AFRL)就碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)技术签订了合作研发协议(CRADA)。

AFRL和MACOM将共同合作,将AFRL的0.14μm硅基氮化镓生产工艺转移到MACOM的 "美国可信晶圆厂"(作为ITAR注册设施,是美国国防业务的首选设施)。双方的半导体专家将合作支持向MACOM的快速工艺转移。

AFRL硅上氮化镓工艺适用于单片微波集成电路(MMIC)产品,能够实现据称是业界领先的频率和功率密度性能。一旦转让该工艺,MACOM预计将扩大其标准和定制MMIC产品的范围。

"这种半导体工艺将使我们能够以高性能产品进入微波和毫米波GaN MMIC市场,"MACOM的总裁兼首席执行官Stephen G. Daly说。"我们的晶圆制造工厂已经具备了支持GaN的良好设备,包括已安装的电子束光刻能力,因此我们可以用最小的资本投资将该工艺上线。我们打算为广泛的商业和美国国防机会提供服务,包括卫星通信系统,以及陆基、空基和海基雷达系统,"他补充道。

"我们期待着MACOM用工业化和一流的GaN半导体工艺支持美国空军和国防部的关键需求,"AFRL传感器局的Robert Fitch博士说。"扩大国内先进半导体制造是国家的优先事项。"


文章来源:Semiconductor Today

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