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赛晶IGBT首发新品正式公布
  发布时间:2020-09-30   


9月28日上午10时,赛晶电力电子集团有限公司(以下简称“赛晶集团”)及子公司瑞士SwissSEM Technology AG (以下简称“SwissSEM”)召开自主技术IGBT首发产品发布会。

赛晶“i20” IGBT芯片技术的首款产品1200V/200A 芯片 和 赛晶ED-Type IGBT模块技术的首款产品1200V/600A 模块,正式发布!

自2019年3月,赛晶集团宣布启动IGBT项目,致力于打造具有国际水平的自主技术IGBT芯片和模块产品至今,短短的1年零6个月时间里。赛晶不仅组建技术团队并设立了全面负责IGBT业务的SwissSEM公司,还高效的完成了技术路线论证、供应链体系建立、生产基地动工等一系列工作。今天,梦想走进现实,终于迎来了赛晶IGBT首发产品的正式揭幕。全体赛晶人激动万分,各界伙伴也纷纷送上了祝贺与祝福。


在发布会中,SwissSEM公司CEO – Roland先生,首先向大家致意并介绍了技术研发团队和项目概况。


此后,SwissSEM公司CTO -Arnost先生,详细介绍了IGBT芯片技术的研发规划、设计思路、技术特点和测试表现。

赛晶首款IGBT芯片产品i20芯片,采用精细沟槽、窄台面、优化N型增强层、短沟道、3D结构、优化P+、优化的激光退火缓冲区和阳极,以及超薄的N-基底等一系列行业前沿设计,带来了卓越的性能表现。


Arnost先生还郑重承诺,一定会将SwissSEM打造成高性能、高品质IGBT器件的代名词。SwissSEM公司COO – Sven先生,重点为大家介绍了首款模块产品 ED-Type模块。该模块特别采用了可以提高均流性能近2倍的直线布局,极大的改善了可靠性和稳定性。

此外,源于严格的供应商筛选和管理体系,以及最出色的制造工艺,使ED-Type模块样品在测试中,经过3倍于设计寿命后,六个样品中也仅有一个出现了失效。这样优异表现的大大超出了预期。


最后,Roland先生为大家展示了SwissSEM公司的发展蓝图。

不仅由SwissSEM独家研发并已在申请专利的ST-Type模块,让大家眼前一亮。另一方面,针对电动汽车领域的第7代微沟槽技术i21芯片,使用新材料SiC的M2x芯片,以及具有独到技术的EV-Type模块,也让人感受到了SwissSEM对于电动汽车领域的高度重视和出色技术。

不忘初心,砥砺前行

自赛晶集团董事长项颉先生,怀揣着技术强国的梦想回国创立赛晶集团至今,已经过去了将近20年。今天,在祖国生日的前夕,我们迎来了首个IGBT研发成果,令人激动,令人振奋。然而,作为一项难度极高的硬科技,IGBT研发的后续工作和产业化依然要秉承着“务实、认真”的科技工匠精神,一步一个脚印的走稳、走好。这样才能拿出品质过硬,性能领先的一流产品。在本次发布会后,赛晶将立即对首发样品开始进一步的测试和验证,在2020年底前量产,并送给客户开始应用验证。



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