美国马萨诸塞州黑弗里尔的EPC Space公司推出了一系列增强型抗辐射功率晶体管，其电压范围为40-300V，电流范围为4-30A，并证明了与硅基抗辐射功率MOSFET相比具有显著的性能优势。

EPC Space公司成立于6月，是美国加州El Segundo的Efficient Power Conversion Corp（生产用于电源管理应用的增强型硅基氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管(FET)）和美国弗吉尼亚州黑堡的VPT Inc（隶属于HEICO Corp子公司HEICO Electronic Technologies Group）的合资企业。此合资公司专注于设计和制造适用于太空和其他恶劣环境的高可靠性、增强型抗辐射GaN功率转换器件。

"我们能够为设计人员提供具有重要太空遗产的卓越技术，因为自2019年1月以来，我们的数千种防辐射GaN器件已经在轨道上运行，"EPC Space首席执行官Bel Lazar说。

EPC Space表示，与硅解决方案相比，其技术生产的器件体积更小，电阻更低，开关性能优越数倍。

受益于这种新获得的性能的关键航天应用包括卫星和任务设备的电源、机器人和自主导航和交会对接的光探测与测距(LiDAR)、机器人和仪器仪表的电机驱动、卫星定向和定位的离子推进器以及低质量机器人飞行器的星际推进。

除了性能上的提升，据说这些器件在重离子(SEE)和伽马辐射(TID)下具有卓越的抗辐射性能。晶圆级的SEE抗辐射能力得到保证，EPC Space的器件由大波士顿地区经过AS9100D认证的工厂生产。

文章来源：Semiconductor Today