当前位置 >网站首页 >行业资讯 >产品中心
Qorvo推出业内最强大的GaN-on-SiC晶体管
  发布时间:2018-04-09   

  关键型IFF和航空电子应用的信号完整性和范围得到大幅提升

  移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.近日推出全球功率最高的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)RF晶体管---QPD1025。QPD1025在65 V下运行1.8KW,提供出色的信号完整性和更大的范围,这对L频段航空电子应用来说至关重要。

  Strategy Analytics公司的战略技术实践执行总监Asif Anwar表示,“Qorvo的QPD1025晶体管对市场来说是真正颠覆性的产品。提供与硅基LDMOS和硅双极器件相比,它不仅具备相同的脉冲功率和占空比性能,在效率上还有了显著提升。Qorvo推出的这款高功率和高效率解决方案,在热管理工艺流程中无需采用金刚石等耐高温材料,具备极高的高性价比。”

  Qorvo高功率解决方案部总经理Roger Hall表示,“这款新型高功率晶体管无需结合放大器的复杂操作便可实现数千瓦的解决方案,能够大幅节省客户的时间和成本。与LDMOS相比,QPD1025的漏极效率有了显著提升,效率高出近15个百分点,这对IFF和航空电子应用来说都非常重要。”

  Qorvo提供业内种类最多、最具创意的GaN-on-SiC产品组合。Qorvo产品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工艺成熟的特点,早在2000年就开始批量生产。

  QPD1025的工程样品现已上市。

  QPD1025 1800 W、65 V、GaN RF输入匹配晶体管

  频率范围:1.0至1.1 GHz

  线性增益:22.5 dB(1.0 GHz负载牵引时)

  PAE3dB典型值:77.2%(1.0 GHz负载牵引时)

  支持CW和脉冲模式

  封装:4引脚NI-1230(无耳式)

推荐阅读+查看更多
  • 从Si到Sic,MOSFET在三相功率转换器的桥式拓扑中的应用
  • 新基建来了,功率半导体器件火了
  • 科技部办公厅关于加快推动国家科技成果转移转化示范区建设发展的通知
  • 科技部关于举办第九届中国创新创业大赛的通知
  • 国家知识产权局办公室关于开展以信用为基础的分级分类监管试点申报工作的通知
  • 5nm工艺起飞 ASML宣布全新半导体技术:产能大涨600%
  • 国家发改委将出台新基建政策:实施全国一体化大数据中心建设
  • 英诺赛科宽禁带半导体项目完成主体施工
  • 科技部等9部门印发《赋予科研人员职务科技成果所有权或长期使用权试点实施方案》的通知
  • 国务院知识产权战略实施工作部际联席会议办公室关于印发《2020年深入实施国家知识产权战略加快建设知识产权强国推进计划》的通知
  • 工业和信息化部办公厅关于做好2020年通信业安全生产工作的通知
  • 全国电子产品安全标准化技术委员会组建公示
  • 科技部办公厅 财政部办公厅 教育部办公厅 中科院办公厅 工程院办公厅 自然科学基金委办公室关于印发《新形势下加强基础研究若干重点举措》的通知
  • 工业和信息化部办公厅关于深入推进移动物联网全面发展的通知
  • 两部门关于组织推荐第五批制造业单项冠军和复核第二批制造业单项冠军的通知
  • 中宽联秘书处2020年第二次工作会议顺利召开
  • 中华人民共和国工业和信息化部公告2020年第15号
  • 科技部关于发布国家重点研发计划 “制造基础技术与关键部件”等重点专项2020年度定向项目申报指南的通知
  • 工业和信息化部办公厅关于组织推荐2020年国家技术创新示范企业的通知
  • 工业和信息化部办公厅关于开展2020年中小企业公共服务体系助力复工复产重点服务活动的通知 工信厅企业函〔2020〕72号