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中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟
主要服务于碳化硅、氮化镓、功率半导体行业。
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重磅！首个功率半导体器件及应用创新中心拟将落户湖南
采用碳化硅的功率器件的UPS更加高效节能
国家电网科技部副主任周宏视察指导全球能源互联网欧洲
凌晨三点钟中国电科55所超净间的样子，你见过吗？
SiC功率器件的新制造工艺开启了市场竞争
日本昭和电工增强功率半导体用SiC外延片高规格产品产
相比“未来”手机，科华恒盛更关心Apple Park的屋顶
吉林市人大常委会调研组到吉林华微电子参观调研
2017双创周 北京世纪金光“创响”亦庄会场
IGBT联盟第三届学术论坛9月22日盛大开启，期待您的加
科华恒盛喜获福建省科技进步奖一等奖
联盟会员
[理事长]山东天岳先进材料科技
[副理事长]大禹电气科技股份有
[副理事长]中国电子科技集团第
[副理事长]东莞市天域半导体科
[副理事长]江苏能华微电子科技
[副理事长]苏州能讯高能半导体
[副理事长]国网智能电网研究院
[副理事长]河南森源电气股份有
[副理事长]株洲中车时代电气股
[副理事长]厦门科华恒盛股份有
[副理事长]嘉兴斯达半导体股份
联盟动态
中宽联《功率器件用150mm
《中国宽禁带功率半导体
宽禁带功率半导体器件高
关于召开“宽禁带功率半
2017年中国宽禁带功率半
中国宽禁带功率半导体及
第五届中国宽禁带功率半
关于召开2016年第五届中
关于举办第五届“2016年
“2016年中国宽禁带功率
2016年中国宽禁带功率半
2015年宽禁带功率半导体
2015宽禁带功率半导体及
2015年宽禁带功率半导体
热烈祝贺“2015宽禁带半
2015宽禁带半导体器件及
中国宽禁带功率半导体及
集成电路人才培养计划（
专家介绍
中山大学 刘扬教授
浙江大学 盛况教授
中国工程院 顾国彪院士
西安电子科技大学 张玉明
中国科学院院士 李树深
中国电子科学研究院 吴曼青
哈尔滨工业大学 徐殿国
浙江大学 徐德鸿教授
企业风采
国家重点研发计划“先进轨道交通”重点
全球能源互联网研究院美国院应邀参加第
科华恒盛喜获福建省科技进步奖一等奖
瀚天天成公司参展 SEMICON TAIWAN 2017
中车时代电气碳化硅器件项目通过科技成
科华恒盛正式获颁民用核安全设备设计和
农业银行山东省分行领导莅临天岳公司调
中车时代电气半导体事业部发布优秀改善
视察调研
国家新旧动能转换调研组到访山东天岳公
农业银行山东省分行领导莅临天岳公司调
国家新旧动能转换调研组到山东天岳公司
青岛市科技局党组书记姜波一行到中国电
济南市经信委汲佩德主任调研山东天岳公
山东省知识产权局于智勇局长一行到天岳
山东省国防科工办领导莅临山东天岳公司
中国科学院院士、西安电子科技大学副校
企业家
中国中车时代电气股份有限公司 刘可安
赛晶电力电子集团有限公司 项颉董事长
西安爱科赛博电气股份有限公司 白小青
山东天岳先进材料科技有限公司 宗艳民
天域半导体科技有限公司 欧阳忠董事长
天域半导体科技有限公司 李锡光总经理
黄山电器有限责任公司 王日新董事长
北方微电子 丁培军总经理
视频报道
北京电力电子学会宽禁带会议工信
北京电力电子学会2015年7月21日
8英寸IGBT智能芯片下线 电能控制
国内首产6英寸碳化硅外延晶片面
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专家专栏
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功率半导体的SiC之路
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检测绝缘栅极双极型晶体管（IG
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电源IGBT驱动器短路保护测试方法
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谈谈电力电子器件强迫风冷中风机
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谈谈电力电子器件强迫风冷中风机
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产品中心
美国Vishay公司推出业界首款200℃小型RF
意法半导体(ST)完成STM32微控制器全系底
ROHM PrestoMOS实现业界最快600V超级结
东芝推出具备更高正向浪涌电流的第二代65
英飞凌IGBT模块满足高功率密度需求
三菱电机开始发售功率半导体“SiC-SBD”
Navitas推出业界首个集成半桥氮化镓(GaN)
三菱电机扩充工业用彩色TFT液晶模块坚固
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解决方案
碳化硅电力电子器件在航空中的应用（南京
光伏电机IGBT模块的应用和精简型风电变流
特高压直流输电工程直流分压器动态特性及
适用于远距离大容量架空线路的LCC-MMC串
国产10MW级高压变频器在600MW机组给水系
执行功率循环测试以分析汽车IGBT芯片中的
铝碳化硅（Alsic）在大功率 LED 芯片封装
汽车点火系统中对智能IGBT技术的需求探讨
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行业标准
GBT 5019.4-2009 以云母为基的绝缘材料
点击下载： GBT 22718-2008 高压电机绝缘
GBT 22718-2008 高压电机绝缘结构耐热性
GBT 22567-2008 电气绝缘材料 测定玻璃化
DL／T 732-2000 电能表测量用光电采样器
DL／T 789-2001 县级电网调度自动化系统
DL／T 5225-2005 220kV～500kV变电所通信
DL／T365-2010 串联电容器补偿装置控制保
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政策法规
京津冀三地共推节能环保技术应用
可再生能源发电规模出炉 多地暂不安排新
工信部印发《太阳能光伏产业综合标准化技
科技部发布《“十三五”公共安全科技创新
科技部关于印发《“十三五”材料领域科技
国家重点支持的高新技术领域之新型电子元
关于印发《促进汽车动力电池产业发展行动
《促进汽车动力电池产业发展行动方案》出
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专业论文
国家重点研发计划—宽禁带功率半导体（北
碳化硅电力电子器件在航空中的应用（南京
平面型与沟槽型IGBT结构浅析
IGBT的封装失效机理
SiC肖特基二极管的产业、技术现状与前景
GaN功率电子行业发展动态（中山大学电力
电动汽车逆变器用IGBT驱动电源设计研究
半导体碳化硅单晶材料的发展
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下载中心
有机硅材料在高温设备中的应用.rar
碳化硅模块高温封装技术调研.rar
宽禁带功率半导体器件高温封装材料—陶瓷
高温焊接材料讨论.rar
高温电子封装外壳探讨.rar
高温SiC器件的特性及发展.rar
高温SiC功率模块.pdf
碳化硅电力电子器件及其制造工艺新进展
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