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中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟
主要服务于碳化硅、氮化镓、功率半导体行业。
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专家专栏
联盟会员
中国电科高端装备产业园（一期）即将开工建设
中国电科55所召开2018年国际化经营专题会议
ADI推出两款高性能氮化镓（GaN）功率放大器（PA）
基于氮化镓（eGaN®）技术的汽车应用即将到来
科华恒盛再度获评中国储能产业最具影响力企业
宁波材料所在碳化硅复合材料绿色低成本技术研发方
山东天岳荣获山东省首批制造业单项冠军和山东百年
2018年中国宽禁带功率半导体及应用产业发展战略研
国电南自 放飞梦想”公众开放日圆满落幕
科华恒盛：基于能源互联网的光伏+领跑者探讨
中国经济社会理事会张玉台副主席一行来中国电科55
联盟会员
[理事长]山东天岳先进材料科技
[副理事长]英诺赛科（珠海）科
[副理事长]北京世纪金光半导体
[副理事长]大禹电气科技股份有
[副理事长]中国电子科技集团第
[副理事长]东莞市天域半导体科
[副理事长]江苏能华微电子科技
[副理事长]苏州能讯高能半导体
[副理事长]全球能源互联网研究
[副理事长]河南森源电气股份有
[副理事长]株洲中车时代电气股
[副理事长]厦门科华恒盛股份有
[副理事长]嘉兴斯达半导体股份
[副理事长]瀚天天成电子科技（
[理事]山东朗进科技股份有限公
[理事]中国电子科技集团第二研
[会员]北京京仪椿树整流器有限
[会员]台州市一能科技有限公司
[会员]上海华颂实业有限公司
[会员]西安卫光科技有限公司
[会员]中国电子科技集团公司第
[会员]北京世纪金光半导体有限
联盟动态
2018年中国宽禁带功率半
中宽联秘书处工作会议在
2017年中国宽禁带功率半
中宽联《功率器件用150mm
《中国宽禁带功率半导体
宽禁带功率半导体器件高
关于召开“宽禁带功率半
2017年中国宽禁带功率半
中国宽禁带功率半导体及
第五届中国宽禁带功率半
关于召开2016年第五届中
关于举办第五届“2016年
“2016年中国宽禁带功率
2016年中国宽禁带功率半
2015年宽禁带功率半导体
2015宽禁带功率半导体及
2015年宽禁带功率半导体
热烈祝贺“2015宽禁带半
专家介绍
中山大学 刘扬教授
浙江大学 盛况教授
中国工程院 顾国彪院士
西安电子科技大学 张玉明
中国科学院院士 李树深
中国电子科学研究院 吴曼青
哈尔滨工业大学 徐殿国
浙江大学 徐德鸿教授
企业风采
山东天岳荣获山东省首批制造业单项冠军
中国经济社会理事会张玉台副主席一行来
2018 EVCP大会，“世纪金光”为新能源
上海瞻芯电子成功研制6英寸碳化硅（SiC
中车时代半导体IGBT技术—为民族产业发
中国电科副总经理杨军一行调研五十五所
山东省中小企业局领导调研山东天岳
济南市委组织部副部长韩洪强莅临天岳调
视察调研
山东省中小企业局领导调研山东天岳
济南市委组织部副部长韩洪强莅临天岳调
济南市市委组织部副部长、市人社局局长
山西省经信委党组书记、主任李晓波一行
济南市副市长孙斌一行到山东天岳公司调
广州市黄埔区工商联党组书记王伟雄莅临
山东省财政厅，经信委领导莅临山东天岳
山西省委书记、省人大常委会主任骆惠宁
企业家
中国中车时代电气股份有限公司 刘可安
赛晶电力电子集团有限公司 项颉董事长
西安爱科赛博电气股份有限公司 白小青
山东天岳先进材料科技有限公司 宗艳民
天域半导体科技有限公司 欧阳忠董事长
天域半导体科技有限公司 李锡光总经理
黄山电器有限责任公司 王日新董事长
北方微电子 丁培军总经理
视频报道
中国宽禁带功率半导体及应用产业
中国宽禁带功率半导体及应用产业
2017年中国宽禁带功率半导体及应
北京电力电子学会宽禁带会议工信
北京电力电子学会2015年7月21日
8英寸IGBT智能芯片下线 电能控制
国内首产6英寸碳化硅外延晶片面
>>更多
专家专栏
·
功率半导体的SiC之路
·
检测绝缘栅极双极型晶体管（IG
·
电源IGBT驱动器短路保护测试方法
·
谈谈电力电子器件强迫风冷中风机
·
谈谈电力电子器件强迫风冷中风机
>>更多
产品中心
基于氮化镓（eGaN®）技术的汽车应用即将
Qorvo推出业内最强大的GaN－on－SiC晶体
Littelfuse在2018年APEC大会上推出超低导
瑞萨电子推出业内首款25 Gbps直调激光二
TI推出业内最小、最快的GaN驱动器，扩展
世纪金光在2018慕尼黑电子展首发1200V碳
安森美半导体的碳化硅 (SiC) 二极管提供
IDT推出SiC（碳化硅）湿度传感器
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解决方案
TG600HF12M1型IGBT模块在新能源汽车上的
碳化硅电力电子器件在航空中的应用（南京
光伏电机IGBT模块的应用和精简型风电变流
特高压直流输电工程直流分压器动态特性及
适用于远距离大容量架空线路的LCC-MMC串
国产10MW级高压变频器在600MW机组给水系
执行功率循环测试以分析汽车IGBT芯片中的
铝碳化硅（Alsic）在大功率 LED 芯片封装
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行业标准
GBT 5019.4-2009 以云母为基的绝缘材料
点击下载： GBT 22718-2008 高压电机绝缘
GBT 22718-2008 高压电机绝缘结构耐热性
GBT 22567-2008 电气绝缘材料 测定玻璃化
DL／T 732-2000 电能表测量用光电采样器
DL／T 789-2001 县级电网调度自动化系统
DL／T 5225-2005 220kV～500kV变电所通信
DL／T365-2010 串联电容器补偿装置控制保
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政策法规
2018国家重点研发项目-新能源汽车部分重
科技部印发《“十三五”先进制造技术领域
科技部重点部署新能源汽车电机驱动专项
关于2017年光伏发电领跑基地申报基本情况
新能源汽车重点专项2018年项目申报指南：
科技部重点部署新能源汽车电机驱动专项（
光伏再获利好新政 进一步加强发电项目用
“双积分”预留缓冲期 新能源汽车有望高
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专业论文
智能网联电动汽车关键芯片技术发展研究
在高频直流—直流转换器内使用650V碳化硅
直流充电桩中“快准稳”的SiC器件
用于逆变器应用的耐用型650v沟道IGBT
在高频直流—直流转换器内使用650V碳化硅
温旭辉：SiC器件在新能源汽车中的应用
碳化硅电力电子器件在航空中的应用（南京
平面型与沟槽型IGBT结构浅析
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下载中心
有机硅材料在高温设备中的应用.rar
碳化硅模块高温封装技术调研.rar
宽禁带功率半导体器件高温封装材料—陶瓷
高温焊接材料讨论.rar
高温电子封装外壳探讨.rar
高温SiC器件的特性及发展.rar
高温SiC功率模块.pdf
碳化硅电力电子器件及其制造工艺新进展
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